博亚体育集微网消息，天眼查显示，中芯国际“半导体器件及其形成方法、半导体结构”专利获授权博亚体育，授权公告日为5月19日，授权公告号为CN110828665B。

　　该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司。

　　专利摘要显示博亚体育，一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括电阻区；形成覆盖基底的第一介质层；形成覆盖第一介质层的牺牲层；依次图形化牺牲层和第一介质层，在电阻区的第一介质层内形成凹槽；在凹槽的底部和侧壁上形成电阻材料层，电阻材料层还覆盖剩余牺牲层；形成覆盖电阻材料层的刻蚀停止材料层；去除高于凹槽顶部的刻蚀停止材料层和电阻材料层，保留凹槽中的剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层，保留凹槽中的剩余电阻材料层作为电阻层；形成刻蚀停止层和电阻层后，去除剩余牺牲层。

　　据悉，本发明通过形成牺牲层和凹槽，增大了后续形成互连通孔的工艺窗口，有利于改善器件的性能和良率博亚体育。（校对/韩秀荣）